مواصفات التكنولوجيا S1M R3G
المواصفات الفنية Taiwan Semiconductor Corporation - S1M R3G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Taiwan Semiconductor Corporation - S1M R3G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Taiwan Semiconductor | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 1 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-214AC (SMA) | |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1.5 µs |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | DO-214AC, SMA | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 µA @ 1000 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 12pF @ 4V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | S1M |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Taiwan Semiconductor Corporation S1M R3G.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | S1M R3G | S1M-13-F | S1M-13 | S1M-M3/61T |
| الصانع | Taiwan Semiconductor Corporation | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 12pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 10pF @ 4V, 1MHz | 12pF @ 4V, 1MHz |
| حزمة / كيس | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA |
| رقم المنتج الأساسي | S1M | S1M | S1M | S1M |
| سرعة | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A | 1.1 V @ 1 A |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 1.5 µs | 3 µs | 3 µs | 1.8 µs |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1000 V | 1000 V | 1000 V | 1000 V |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| تجار الأجهزة حزمة | DO-214AC (SMA) | SMA | SMA | DO-214AC (SMA) |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 1 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1000 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات S1M R3G PDF ووثائق Taiwan Semiconductor Corporation لـ S1M R3G - Taiwan Semiconductor Corporation.
S1M-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
S1M F3Taiwan SemiconductorS1M-13Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
S1M FSCFairchild (onsemi)
S1M8656A01-F0T0Samsung Semiconductor
S1M-E3/11TElectro-Films (EFI) / VishayS1M-M3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACS1M-13TElectro-Films (EFI) / Vishay
S1M-13-G-90Diodes Incorporated
S1M T/RPANJITS1M-HE3/61TElectro-Films (EFI) / VishayS1M R2Taiwan SemiconductorS1M8656A01-EOTOSAMSUNSS1M-E3/61TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACS1M-E3Electro-Films (EFI) / VishayS1M-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO214ACS1M-SMASUNGS1M-TRGOODARK| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.